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元件参数资料
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参数目录41425
> 2N7000 MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
型号:
2N7000
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
2N7000 PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
产品目录绘图
MOSFET TO-92 Pkg
标准包装
2,000
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
200mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
5 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
50pF @ 25V
功率 - 最大
400mW
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装
TO-92-3
包装
散装
产品目录页面
1605 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
2N7000FS
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